<DIV class=t_msgfont id=postmessage_19988233>35.硬盤徹底損壞后的數(shù)據(jù)搶救<BR><BR>硬盤經(jīng)常啟動(dòng),是最常用的一個(gè)區(qū)域,所以損壞機(jī)率比其他扇區(qū)要大的多.我們來仔細(xì)談?wù)動(dòng)脖P0道的一些知識和維修方法<BR><BR> 硬盤0道損壞的現(xiàn)象一般就是主板自檢不通過(硬盤加點(diǎn)后自檢聲音正確的).還有的造成啟動(dòng)非常的慢(其他光盤引導(dǎo)也是慢).這種情況一般都能確定屬于0道故障(還有一種和0道比較相近的故障就是硬盤固件錯(cuò)誤通病,注意區(qū)分)<BR><BR> 我們2中方法處理:<BR> 1:用戶自己處理:可以用dm,lformat,mhdd來處理0道損壞硬盤(但成功率不高,只適合于輕微損壞的0道修復(fù)).我們推薦用lformat的熱拔插法來修)<BR> 先用光盤引導(dǎo)電腦(代修硬盤先只插上數(shù)據(jù)線,不插電源線)等電腦啟動(dòng)成功后,然后這是在插硬盤的電源線(注意這是帶電拔插,注意電源別插反了,搞不好燒板的)<BR> 等到硬盤起轉(zhuǎn)自檢聲完成以后,運(yùn)行l(wèi)format.exe軟件,選擇找到硬盤參數(shù),進(jìn)行低格.如果就是修0道故障,只需低格1分鐘即可退出.用其他軟件分區(qū),看看修復(fù)成功沒有.如果這樣還不能修復(fù),你可以試試hp,dm的擦除.mhdd的擦除試試.還不行就得低2中方法處理了<BR><BR> 2:維修人員處理:一般專業(yè)的修理0道問題都是用pc3000來處理的比較多.你可以先掃描,伺服測試等,來確定是否就只是0道損壞,如果就是0道問題的話,手動(dòng)封閉硬盤的0,0地址即可.自動(dòng)屏蔽到p-list.<BR> 如果經(jīng)過你的檢測如果屬于0磁頭損壞的話,只有砍掉硬盤的0磁頭才能正常的工作,具體方法不介紹(因?yàn)槊總€(gè)牌子的操作是不同的)<BR><BR> 好了,以上就是關(guān)于0道一些知識.用戶根據(jù)自己的情況來處理<BR><BR>36.硬盤出現(xiàn)硬件故障,你敢這樣維修么?<BR><BR>前些日子從同學(xué)處取得一塊昆騰1.2G的小硬盤,有一奇異的毛病---開機(jī)自檢時(shí)若能發(fā)現(xiàn)硬盤則用起來基本沒有問題,但有時(shí)候自檢并不能發(fā)現(xiàn)硬盤,表現(xiàn)為硬盤啟動(dòng)后高速旋轉(zhuǎn)然后在某個(gè)地方停了下來,接著就是“卡塔卡塔”的聲音,然后屏幕顯示硬盤出錯(cuò),停在那里。同學(xué)有一經(jīng)驗(yàn),每次遇到這種情況,曰只需在關(guān)機(jī)后拔下硬盤的盤體到電路板的連線,然后再開機(jī),聽到硬盤啟動(dòng)后再關(guān)機(jī),這時(shí)再插上連線,只要聽到“當(dāng)”的一聲就OK了!<BR><BR> 隨著這硬盤在我手里的日子增長,同學(xué)的那一招也越發(fā)不起作用了。到了后來干脆是無論怎樣也不動(dòng)了,只聽見“卡塔卡塔”的聲音不絕于耳。想起《電腦報(bào)》上的種種方法均取之一試,未見有效。不得已而為之,拿出螺絲刀。各位千萬注意:不到萬不得已別用這招!<BR><BR> 硬盤的殼體上有六顆螺絲,主軸有一顆,磁頭部分有一顆,一共八顆螺絲,下了就可以小心翼翼的打開硬盤了!雖然我們DIYER的家里并沒有超靜的空間,可是經(jīng)過我的試驗(yàn)在比較干凈的臥室完成這一任務(wù)不會(huì)給硬盤造成什么傷害!打開硬盤的腔體后,可以看見亮晶晶的盤片,還有一對磁頭懸停在盤片的兩面。將磁頭輕輕的掀起,用鏡頭紙小心地擦拭。注意:磁頭十分脆弱!稍有不慎,即前功盡棄!往上掀起磁頭時(shí)不能離盤片太高,擦拭磁頭也應(yīng)該從里到外沿盤片的軸向。其實(shí)并不太難,也就是十分鐘的功夫,估計(jì)磁頭擦干凈了便可以了。這時(shí)你會(huì)發(fā)現(xiàn)盤片上有一些小小的霉點(diǎn),也一同擦掉,再用FORMAT請別加任何參數(shù),這樣FORMAT會(huì)找出所有壞道并一一紀(jì)錄在案(此步操作為必須)。以后操作系統(tǒng)不會(huì)去訪問有壞道的扇區(qū)。這樣,一個(gè)想輕生的硬盤又被我從死神那里拉了回來。呵呵!雖然是很驚險(xiǎn)的,但如果你也有那樣的硬盤的話---干脆破罐子亂甩,哈哈,說不定會(huì)有驚喜喲!<BR><BR> 編輯評注:這種方法的確比較驚險(xiǎn),稍不小心,硬盤將毀于一旦。所以在這里要提醒大家的是:在動(dòng)手的時(shí)候,遵循膽大心細(xì)的原則是最重要的,如果不到萬不得已,千萬不要如此維修硬盤。<BR><BR>37.硬盤的常見錯(cuò)誤提示及解決方法<BR><BR>一、顯示:“C:Drive Failure Run Setup Utility,Press(F1)To Resume” <BR><BR> 此類故障是硬盤參數(shù)設(shè)置不正確所以從軟盤引導(dǎo)硬盤可用,只要重新設(shè)置 硬盤參數(shù)即可。 <BR><BR> 二、顯示:“No ROM Basic,System Halted” <BR><BR> 病因分析:造成該故障的原因一般是引導(dǎo)程序損壞或被病毒感染,或是分區(qū)表中無自舉標(biāo)志,或是結(jié)束標(biāo)志55AAH被改寫。 <BR><BR> 治療方法:從軟盤啟動(dòng),執(zhí)行命令“FDISK/MBR"即可。FDISK中包含有主引導(dǎo)程序代碼和結(jié)束標(biāo)志55AAH,用上述命令可使FDISK中正確的主引導(dǎo)程序和結(jié)束標(biāo)志覆蓋硬盤上的主引導(dǎo)程序,這一招對于修復(fù)主引導(dǎo)程序和結(jié)束標(biāo)志55AAH損壞既快又靈。對于分區(qū)表中無自舉標(biāo)志的故障,可用NDD迅速恢復(fù)。 <BR><BR> 三、顯示“Error loading operating system”或“Missing operating system” <BR><BR> 病因分析:造成該故障的原因一般是DOS引導(dǎo)記錄出現(xiàn)錯(cuò)誤。DOS引導(dǎo)記錄位于邏輯0扇區(qū),是由高級格式化命令FORMAT生成的。主引導(dǎo)程序在檢查分區(qū)表正確之后,根據(jù)分區(qū)表中指出的DOS分區(qū)的起始地址,讀DOS引導(dǎo)記錄,若連續(xù)讀五次都失敗,則給出“Error loading opearting system”的錯(cuò)誤提示,若能正確讀出DOS引導(dǎo)記錄,主引導(dǎo)程序則會(huì)將DOS引導(dǎo)記錄送入內(nèi)存0:7C00h處,然后檢查DOS引導(dǎo)記錄的最后兩個(gè)字節(jié)是否為55AAH,若不是這兩個(gè)字節(jié),則給出“Missing operation system”的提示。 <BR><BR> 治療方法:一般情況下用NDD修復(fù)即可。若不成功,只好用FORMAT C:/S命令重寫DOS引導(dǎo)記錄,也許你會(huì)認(rèn)為格式化后C盤數(shù)據(jù)將丟失,其實(shí)不必?fù)?dān)心,數(shù)據(jù)仍然保存在硬盤上,格式化C盤后可用NU8.0中的UNFORMAT恢復(fù)。如果曾經(jīng)用DOS命令中的MIRROR或NU8.0中的IMAGE程序給硬盤建立過IMAGE鏡像文件,硬盤可完全恢復(fù),否則硬盤根目錄下的文件全部丟失,根目錄下的第一級子目錄名被更名為DIR0、DIR1、 DIR2......,但一級子目錄下的文件及其下級子目錄完好無損,至于根目錄下丟失的文件,你可用NU8.0中的UNERASE再去恢復(fù)即可。<BR><BR><BR>四、顯示:“Invalid Drive Specification” <BR><BR> 治療方法: <BR><BR> 1、重新分區(qū)格式化 <BR><BR> 2、如0磁道損壞需要低級格式化,然后用Set Comspec(指定Command文件位置),使得Command遠(yuǎn)離0磁道。 <BR><BR> 當(dāng)硬盤出現(xiàn)分區(qū)故障后,希望用戶先用上述方法解決,若不成功,對硬盤分區(qū)格式化是解決軟故障的基本方法,但信息將被清除。其使用原則是:能用高格解決的不用分區(qū),能用分區(qū)解決的不用低級格式化。 <BR><BR> 五、顯示:“Device error”,然后又顯示:“Non-System disk or disk error,Replace and strike any key when ready”,說明硬盤不能啟動(dòng),用軟盤啟動(dòng)后,在A:>后鍵入C:,屏幕顯示:“Invalid drive specification",系統(tǒng)不認(rèn)硬盤。 <BR><BR> 病因分析:造成該故障的原因一般是CMOS中的硬盤設(shè)置參數(shù)丟失或硬盤類型設(shè)置錯(cuò)誤造成的。 <BR><BR> 治療方法:進(jìn)入CMOS,檢查硬盤設(shè)置參數(shù)是否丟失或硬盤類型設(shè)置是否錯(cuò)誤,如果確是該種故障,只需將硬盤設(shè)置參數(shù)恢復(fù)或修改過來即可,如果忘了硬盤參數(shù)不會(huì)修改,也可用備份過的CMOS信息進(jìn)行恢復(fù),如果你沒有備份CMOS信息,也別急,有些高檔微機(jī)的CMOS設(shè)置中有“HDD Auto Detection”(硬盤自動(dòng)檢測)選項(xiàng),可自動(dòng)檢測出硬盤類型參數(shù)。若無此項(xiàng),只好打開機(jī)箱,查看硬盤表面標(biāo)簽上的硬盤參數(shù),照此修改即可。 <BR><BR> 六、顯示:“HDD Controller Failure” <BR><BR> 病因分析:造成該故障的原因一般是硬盤線接口接觸不良或接線錯(cuò)誤。 <BR><BR> 治療方法:先檢查硬盤電源線與硬盤的連接,再檢查硬盤數(shù)據(jù)信號線與多功能卡或硬盤的連接,如果連接松動(dòng)或連線接反都會(huì)有上述提示,最好是能找一臺(tái)型號相同且使用正常的微機(jī),可以對比線纜的連接,若線纜接反則一目了然。 <BR><BR> 七、顯示:“Invalid partition table”,硬盤不能啟動(dòng),若從軟盤啟動(dòng)則認(rèn)C盤。 <BR><BR> 病因分析:造成該故障的原因一般是硬盤主引導(dǎo)記錄中的分區(qū)表有錯(cuò)誤,當(dāng)指定了多個(gè)自舉分區(qū)(只能有一個(gè)自舉分區(qū))或病毒占用了分區(qū)表時(shí),將有上述提示。主引導(dǎo)記錄(MBR)位于0磁頭/0柱面/1扇區(qū),由FDISK.EXE對硬盤分區(qū)時(shí)生成。MBR包括主引導(dǎo)程序、分區(qū)表和結(jié)束標(biāo)志55AAH三部分,共占一個(gè)扇區(qū)。主引導(dǎo)程序中含有檢查硬盤分區(qū)表的程序代碼和出錯(cuò)信息、出錯(cuò)處理等內(nèi)容。當(dāng)硬盤啟動(dòng)時(shí),主引導(dǎo)程序?qū)z查分區(qū)表中的自舉標(biāo)志。若某個(gè)分區(qū)為可自舉分區(qū),則有分區(qū)標(biāo)志80H,否則為00H,系統(tǒng)規(guī)定只能有一個(gè)分區(qū)為自舉分區(qū),若分區(qū)表中含有多個(gè)自舉標(biāo)志時(shí),主引導(dǎo)程序會(huì)給出“Invalid partion table"的錯(cuò)誤提示。 <BR><BR> 治療方法:最簡單的解決方法是用NDD修復(fù),它將檢查分區(qū)表中的錯(cuò)誤,若發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤,將會(huì)詢問你是否愿意修改,你只要不斷地回答YES即可修正錯(cuò)誤,或者用備份過的分區(qū)表覆蓋它也行(KV300,NU8.0中的RESCUE都具有備份與恢復(fù)分區(qū)表的功能)。如果是病毒感染了分區(qū)表,格式化是解決不了問題的,可先用殺毒軟件殺毒,再用NDD進(jìn)行修復(fù)。如果上述方法都不能解決,還有一招,就是先用FDISK重新分區(qū),但分區(qū)大小必須和原來的分區(qū)一樣,這一點(diǎn)尤為重要,分區(qū)后不要進(jìn)行高級格式化,然后用NDD進(jìn)行修復(fù)。修復(fù)后的硬盤不但能啟動(dòng),而且硬盤上的信息也不會(huì)丟失。其實(shí)用Fdisk分區(qū),相當(dāng)于用正確的分區(qū)表覆蓋原來的分區(qū)表。尤其當(dāng)用軟盤啟動(dòng)后不認(rèn)硬盤時(shí),這一招特靈。<BR><BR>38.硬盤的技術(shù)術(shù)語<BR>硬盤的技術(shù)術(shù)語(一) <BR>1. 單碟容量(storage per disk):<BR>這也是劃分硬盤檔次的一個(gè)指標(biāo),由于硬盤都是由一個(gè)或幾個(gè)盤片組成的,所以單碟容量就是指包括正反兩面在內(nèi)的每個(gè)盤片的總?cè)萘?。單碟容量的提高意味著生產(chǎn)廠商研發(fā)技術(shù)的提高,這所帶來的好處不僅是使硬盤容量得以增加,而且還會(huì)帶來硬盤性能的相應(yīng)提升。因?yàn)閱蔚萘康奶岣呔褪潜P片磁道密度每英寸的磁道數(shù))的提高,磁道密度的提高不但意味著提高了盤片的磁道數(shù)量,而且在磁道上的扇區(qū)數(shù)量也得到了提高,所以盤片轉(zhuǎn)動(dòng)一周,就會(huì)有更多的扇區(qū)經(jīng)過磁頭而被讀出來,這也是相同轉(zhuǎn)速的硬盤單碟容量越大內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率就越快的一個(gè)重要原因。此外單碟容量的提高使線性密度(每英寸磁道上的位數(shù))也得以提高,有利于硬盤尋道時(shí)間的縮短。<BR><BR> 2.硬盤的轉(zhuǎn)速(Rotationl Speed): <BR><BR> 也就是硬盤電機(jī)主軸的轉(zhuǎn)速。主軸轉(zhuǎn)速(rotational speed或spindle speed),這是劃分硬盤檔次的一個(gè)重要指標(biāo)。以每分鐘硬盤盤片的旋轉(zhuǎn)圈數(shù)來表示,單位rpm,目前常見的硬盤轉(zhuǎn)速有5400rpm、7200rpm和10000rpm等。理論上轉(zhuǎn)速越高,硬盤性能相對就越好,因?yàn)檩^高的轉(zhuǎn)速能縮短硬盤的平均等待時(shí)間并提高硬盤的內(nèi)部傳輸速度。但是轉(zhuǎn)速越快的硬盤發(fā)熱量和噪音相對也越大。為了解決這一系列的負(fù)面影響,應(yīng)用在精密機(jī)械工業(yè)上的液態(tài)軸承馬達(dá)(Fluid dynamic bearing motors)便被引入到硬盤技術(shù)中。液態(tài)軸承馬達(dá)使用的是黏膜液油軸承,以油膜代替滾珠。這樣可以避免金屬面的直接磨擦,將噪聲及溫度被減至最低;同時(shí)油膜可有效吸收震動(dòng),使抗震能力得到提高;此外這還能減少磨損,提高硬盤壽命。<BR><BR> 3.平均尋道時(shí)間(Average seek time): <BR><BR> 指硬盤在盤面上移動(dòng)讀寫頭至指定磁道尋找相應(yīng)目標(biāo)數(shù)據(jù)所用的時(shí)間,它描述硬盤讀取數(shù)據(jù)的能力,單位毫秒(ms)。當(dāng)單碟片容量增大時(shí),磁頭的尋道動(dòng)作和移動(dòng)距離減少,從而使平均尋道時(shí)間減少,加快硬盤速度。目前市場上主流硬盤的平均尋道時(shí)間一般在9ms左右,但現(xiàn)在市面上新火球一代,以及美鉆2代,平均尋道時(shí)間在12ms左右,都是5400轉(zhuǎn)的產(chǎn)品,大家購買時(shí)要考慮到這一點(diǎn)。 <BR><BR> 4.平均潛伏時(shí)間(Average latency time): <BR><BR> 指當(dāng)磁頭移動(dòng)到數(shù)據(jù)所在的磁道后,等待指定的數(shù)據(jù)扇區(qū)轉(zhuǎn)動(dòng)到磁頭下方的時(shí)間,單位為毫秒(ms)。平均潛伏期時(shí)間是越小越好,潛伏期短代表硬盤在讀取數(shù)據(jù)時(shí)的等待時(shí)間更短,轉(zhuǎn)速越快的硬盤具有更低的平均潛伏期,而與單碟容量關(guān)系不大。一般來說,5400rpm硬盤的平均潛伏期為5.6ms,而7200rpm硬盤的平均潛伏期為4.2ms。<BR>5.平均訪問時(shí)間(Average access time): <BR><BR> 指磁頭從起始位置到達(dá)目標(biāo)磁道位置,并且從目標(biāo)磁道上找到指定的數(shù)據(jù)扇區(qū)所需的時(shí)間,單位為毫秒(ms)。平均訪問時(shí)間最能夠代表硬盤找到某一數(shù)據(jù)所用的時(shí)間,越短的平均訪問時(shí)間越好,一般在11ms-18ms之間。。平均訪問時(shí)間體現(xiàn)了硬盤的讀寫速度,它包括了硬盤的平均尋道時(shí)間和平均潛伏期,即:平均訪問時(shí)間=平均尋道時(shí)間+平均潛伏期。 <BR><BR> 注意:現(xiàn)在不少硬盤廣告之中所說的平均訪問時(shí)間大部分都是用平均尋道時(shí)間所代替的。<BR> 6.道-道間尋道時(shí)間(single track seek),指磁頭從一磁道移動(dòng)至另一磁道的時(shí)間,單位為毫秒(ms)。<BR><BR> 7. 數(shù)據(jù)傳輸率(Data Transfer Rate) 計(jì)算機(jī)通過IDE接口從硬盤的緩存中將數(shù)據(jù)讀出交給相應(yīng)的控制器的速度與硬盤將數(shù)據(jù)從盤片上讀取出交給硬盤上的緩沖存儲(chǔ)器的速度相比,前者要比后者快得多,前者是外部數(shù)據(jù)傳輸率(External Transfer Rate),而后者是內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率(Internal Transfer Rate),兩者之間用一塊緩沖存儲(chǔ)器作為橋梁來緩解速度的差距。通常也把外部數(shù)據(jù)傳輸率稱為突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率(Burst data Transfer Rate),指的是電腦通過數(shù)據(jù)總線從硬盤內(nèi)部緩存區(qū)中所讀取數(shù)據(jù)的最高速率突發(fā)數(shù)據(jù)傳輸率(Burst data transfer rate)。以目前IDE硬盤的發(fā)展現(xiàn)狀來看,理論上采用ATA-100傳輸協(xié)議的硬盤外部傳輸率已經(jīng)達(dá)到100MB/s,然而最新的采用ATA-133的傳輸率以后,傳輸率又可達(dá)133MB/s。 <BR><BR> 內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率也被稱作硬盤的持續(xù)傳輸率(Sustained Transfer Rate),指磁頭至硬盤緩存間的數(shù)據(jù)傳輸率,一般取決于硬盤的盤片轉(zhuǎn)速和盤片數(shù)據(jù)線密度(指同一磁道上的數(shù)據(jù)間隔度)。也叫持續(xù)數(shù)據(jù)傳輸率(sustained transfer rate)。<BR><BR> 由于內(nèi)部數(shù)據(jù)傳輸率才是系統(tǒng)真正的瓶頸,因此大家在購買時(shí)要分清這兩個(gè)概念。不過一般來講,硬盤的轉(zhuǎn)速相同時(shí),單碟容量大的內(nèi)部傳輸率高;在單碟容量相同時(shí),轉(zhuǎn)速高的硬盤的內(nèi)部傳輸率高。?一般取決于硬盤的轉(zhuǎn)速和盤片線性密度。應(yīng)該清楚的是只有內(nèi)部傳輸率向外部傳輸率接近靠攏,有效地提高硬盤的內(nèi)部傳輸率才能對磁盤子系統(tǒng)的性能有最直接、最明顯的提升。目前各硬盤生產(chǎn)廠家努力提高硬盤的內(nèi)部傳輸率,除了改進(jìn)信號處理技術(shù)、提高轉(zhuǎn)速以外,最主要的就是不斷的提高單碟容量以提高線性密度。由于單碟容量越大的硬盤線性密度越高,磁頭的尋道頻率與移動(dòng)距離可以相應(yīng)的減少,從而減少了平均尋道時(shí)間,內(nèi)部傳輸速率也就提高了。 <BR><BR>硬盤的技術(shù)術(shù)語(二)<BR><BR>8. 自動(dòng)檢測分析及報(bào)告技術(shù)(Self-Monitoring Analysis and Report Technology,簡稱S.M.A.R.T): <BR><BR> 目前硬盤的平均無故障運(yùn)行時(shí)間(MTBF)已達(dá)50000小時(shí)以上,但這對于挑剔的專業(yè)用戶來說還是不夠的,因?yàn)樗麄儍?chǔ)存在硬盤中的數(shù)據(jù)才是最有價(jià)值的,因此專業(yè)用戶所需要的就是能提前對故障進(jìn)行預(yù)測的功能。正是這種需求才使S.M.A.R.T.技術(shù)得以應(yīng)運(yùn)而生。<BR><BR> 現(xiàn)在出廠的硬盤基本上都支持S.M.A.R.T技術(shù)。這種技術(shù)可以對硬盤的磁頭單元、盤片電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)、硬盤內(nèi)部電路以及盤片表面媒介材料等進(jìn)行監(jiān)測,它由硬盤的監(jiān)測電路和主機(jī)上的監(jiān)測軟件對被監(jiān)測對象的運(yùn)行情況與歷史記錄及預(yù)設(shè)的安全值進(jìn)行分析、比較,當(dāng)S.M.A.R.T監(jiān)測并分析出硬盤可能出現(xiàn)問題時(shí)會(huì)及時(shí)向用戶報(bào)警以避免電腦數(shù)據(jù)受到損失。S.M.A.R.T技術(shù)必須在主板支持的前提下才能發(fā)生作用,而且同時(shí)也應(yīng)該看到S.M.A.R.T.技術(shù)并不是萬能的,對漸發(fā)性的故障的監(jiān)測是它的用武之地,而對于一些突發(fā)性的故障,如對盤片的突然沖擊等,S.M.A.R.T.技術(shù)也同樣是無能為力的。<BR><BR> 9.磁阻磁頭技術(shù)MR(Magneto-Resistive Head): <BR><BR> MR(MagnetoResistive)磁頭,即磁阻磁頭技術(shù)。MR技術(shù)可以更高的實(shí)際記錄密度、記錄數(shù)據(jù),從而增加硬盤容量,提高數(shù)據(jù)吞吐率。目前的MR技術(shù)已有幾代產(chǎn)品。MAXTOR的鉆石三代/四代等均采用了最新的MR技術(shù)。磁阻磁頭的工作原理是基于磁阻效應(yīng)來工作的,其核心是一小片金屬材料,其電阻隨磁場變化而變化,雖然其變化率不足2%,但因?yàn)榇抛柙B著一個(gè)非常靈敏的放大器,所以可測出該微小的電阻變化。MR技術(shù)可使硬盤容量提高40%以上。GMR(GiantMagnetoresistive)巨磁阻磁頭GMR磁頭與MR磁頭一樣,是利用特殊材料的電阻值隨磁場變化的原理來讀取盤片上的數(shù)據(jù),但是GMR磁頭使用了磁阻效應(yīng)更好的材料和多層薄膜結(jié)構(gòu),比MR磁頭更為敏感,相同的磁場變化能引起更大的電阻值變化,從而可以實(shí)現(xiàn)更高的存儲(chǔ)密度,現(xiàn)有的MR磁頭能夠達(dá)到的盤片密度為3Gbit-5Gbit/in2(千兆位每平方英寸),而GMR磁頭可以達(dá)到10Gbit-40Gbit/in2以上。目前GMR磁頭已經(jīng)處于成熟推廣期,在今后的數(shù)年中,它將會(huì)逐步取代MR磁頭,成為最流行的磁頭技術(shù)。當(dāng)然單碟容量的提高并不是單靠磁頭就能解決的,這還要有相應(yīng)盤片材料的改進(jìn)才行,比如IBM早在去年率先在75GXP硬盤中采用玻璃介質(zhì)的盤片。 <BR><BR> 10.緩存:<BR><BR> 全稱是數(shù)據(jù)緩沖存儲(chǔ)器(cache buffer)指的是硬盤的高速緩沖存儲(chǔ)器,是硬盤與外部總線交換數(shù)據(jù)的場所。硬盤的讀數(shù)據(jù)的過程是將磁信號轉(zhuǎn)化為電信號后,通過緩存一次次地填充與清空,再填充,再清空,一步步按照PCI總線的周期送出,可見,緩存的作用是相當(dāng)重要的。在接口技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到一個(gè)相對成熟的階段的時(shí)候,緩存的大小與速度是直接關(guān)系到硬盤的傳輸速度的重要因素。它一般使用7~10ns的SDRAM,目前主流IDE硬盤的數(shù)據(jù)緩存是2MB,但西部數(shù)據(jù)得JB系列的緩存達(dá)到了8MB,性能非常優(yōu)秀。<BR>11.連續(xù)無故障時(shí)間(MTBF): <BR><BR> 指硬盤從開始運(yùn)行到出現(xiàn)故障的最長時(shí)間,單位為小時(shí)。一般硬盤的MTBF都在30000或50000小時(shí)之間,算下來如果一個(gè)硬盤每天工作10小時(shí),一年工作365天,它的壽命至少也有8年,所以用戶大可不必為硬盤的壽命而擔(dān)心。不過出于對數(shù)據(jù)安全方面的考慮,最好將硬盤的使用壽命控制在5年以內(nèi)。 <BR> ? <BR> 12.部分響應(yīng)完全匹配技術(shù)(PRML): <BR><BR> 它能使盤片存儲(chǔ)更多的信息,同時(shí)可以有效地提高數(shù)據(jù)的讀取和數(shù)據(jù)傳輸率。是當(dāng)前應(yīng)用于硬盤數(shù)據(jù)讀取通道中的先進(jìn)技術(shù)之一。PRML技術(shù)是將硬盤數(shù)據(jù)讀取電路分成兩段"操作流水線",流水線第一段將磁頭讀取的信號進(jìn)行數(shù)字化處理然后只選取部分"標(biāo)準(zhǔn)"信號移交第二段繼續(xù)處理,第二段將所接收的信號與PRML芯片預(yù)置信號模型進(jìn)行對比,然后選取差異最小的信號進(jìn)行組合后輸出以完成數(shù)據(jù)的讀取過程。PRML技術(shù)可以降低硬盤讀取數(shù)據(jù)的錯(cuò)誤率,因此可以進(jìn)一步提高磁盤數(shù)據(jù)密集度。 <BR><BR> 13.單磁道時(shí)間(Single track seek time): <BR><BR> 指磁頭從一磁道轉(zhuǎn)移至另一磁道所用的時(shí)間。? <BR><BR> 14.超級數(shù)字信號處理器(Ultra DSP)技術(shù): <BR><BR> 應(yīng)用Ultra DSP進(jìn)行數(shù)學(xué)運(yùn)算,其速度較一般CPU快10到50倍。采用Ultra DSP技術(shù),單個(gè)的DSP芯片可以同時(shí)提供處理器及驅(qū)動(dòng)接口的雙重功能,以減少其它電子元件的使用,可大幅度地提高硬盤的速度和可靠性。接口技術(shù)可以極大地提高硬盤的最大外部傳輸率,最大的益處在于可以把數(shù)據(jù)從硬盤直接傳輸?shù)街鲀?nèi)存而不占用更多的CPU資源,提高系統(tǒng)性能。 <BR><BR> 15.硬盤表面溫度: <BR><BR> 指硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度使硬盤密封殼溫度上升情況。硬盤工作時(shí)產(chǎn)生的溫度過高將影響薄膜式磁頭(包括MR磁頭)的數(shù)據(jù)讀取靈敏度,因此硬盤工作表面溫度較低的硬盤有更好的數(shù)據(jù)讀、寫穩(wěn)定性。 <BR><BR> 16.全程訪問時(shí)間(Max full seek time): <BR><BR> 指磁頭開始移動(dòng)直到最后找到所需要的數(shù)據(jù)塊所用的全部時(shí)間。?<BR><BR>39.硬盤各部位常見故障匯總<BR><BR><BR>1)硬盤的供電:硬盤的供電取自主機(jī)的開關(guān)電源,四個(gè)接線柱的電壓分別為:紅色為正5V,黑色為地線,黃色為正12V,通過線性電源變換電路,變換為硬盤正常工作的各種電壓。硬盤的供電電路如果出現(xiàn)問題,會(huì)直接導(dǎo)致硬盤不能工作。故障現(xiàn)象往往表現(xiàn)為不通電、硬盤檢測不到、盤片不轉(zhuǎn)、磁頭不尋道等。供電電路常出問題的部位是:插座的接線柱、濾波電容、二極管、三極管、場效應(yīng)管、電感、保險(xiǎn)電阻等。<BR><BR> 2)接口:接口是硬盤與計(jì)算機(jī)之間傳輸數(shù)據(jù)的通路,接口電路如出現(xiàn)故障可能會(huì)導(dǎo)致硬盤檢測不到、亂碼、參數(shù)誤認(rèn)等現(xiàn)象。接口電路常出故障的部位是接口芯片或與之匹配的晶振壞、接口插針斷或虛焊或臟污、接口排阻損壞,部分硬盤的接口塑料損壞導(dǎo)致廠家不予保修。<BR><BR> 3)緩存:用于加快硬盤數(shù)據(jù)傳輸速度,如出現(xiàn)問題可能會(huì)導(dǎo)致硬盤不被識別、亂碼、進(jìn)入操作系統(tǒng)后異常死機(jī)等現(xiàn)象。<BR><BR> 4)BIOS:用于保存與硬盤容量、接口信息等,硬盤所有的工作流程都與BIOS程序相關(guān),通斷電瞬間可能會(huì)導(dǎo)致BIOS程序丟失或紊亂。BIOS不正常會(huì)導(dǎo)致硬盤誤認(rèn)、不能識別等各種各樣的故障現(xiàn)象。<BR><BR> 5)磁頭芯片:貼裝在磁頭組件上,用于放大磁頭信號、磁頭邏輯分配、處理音圈電機(jī)反饋信號等,該芯片出現(xiàn)問題可能會(huì)出現(xiàn)磁頭不能正確尋道、數(shù)據(jù)不能寫入盤片、不能識別硬盤、異響等故障現(xiàn)象。<BR><BR> 6) 前置信號處理器:用于加工整理磁頭芯片傳來的數(shù)據(jù)信號,該芯片如出現(xiàn)問題可能會(huì)出現(xiàn)不能正確識別硬盤的故障現(xiàn)象。<BR><BR> 7)數(shù)字信號處理器:用于處理前置信號處理器傳過來的數(shù)據(jù)信號,并對該信號解碼或接收計(jì)算機(jī)傳過來的數(shù)據(jù)信號,并對該信號進(jìn)行編碼。<BR><BR> 8)電機(jī)驅(qū)動(dòng)芯片:用于驅(qū)動(dòng)硬盤主軸電機(jī)和音圈電機(jī)?,F(xiàn)在的硬盤由于轉(zhuǎn)速太高導(dǎo)致該芯片發(fā)熱量太大而損壞,據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),70% 左右的硬盤電路路障是由該芯片損壞引起。<BR><BR> 9)盤片:用于存儲(chǔ)硬盤數(shù)據(jù),輕微劃傷時(shí)可通過軟件按一定的算法解碼糾錯(cuò),嚴(yán)重劃傷時(shí),數(shù)據(jù)不可恢復(fù)。<BR><BR> 10)主軸電機(jī):用于帶動(dòng)盤片高速旋轉(zhuǎn),現(xiàn)在的硬盤大多使用液態(tài)軸承馬達(dá),精度極高,劇烈碰撞后可能會(huì)使間隙變大,讀取數(shù)據(jù)變得困難、異響或根本檢測不到硬盤。該故障現(xiàn)象需用專用設(shè)備才能讀取里面的數(shù)據(jù)。<BR><BR> 11)磁頭:用于讀取或?qū)懭胗脖P數(shù)據(jù),受到劇烈碰撞時(shí)易于損壞,導(dǎo)致不認(rèn)硬盤。硬盤受到碰撞后受損可能性更大的是磁頭。<BR><BR> 12)音圈電機(jī):閉環(huán)控制電機(jī),用于把磁頭準(zhǔn)確定位在磁道上。該電機(jī)較少損壞。<BR><BR> 13)定位卡子:用于使磁頭停留在啟停區(qū),IBM等系列的硬盤的卡子易錯(cuò)位,導(dǎo)致磁頭不能正常尋道。在無開盤維修條件的情況下,可按一定的角度適當(dāng)敲擊硬盤,使卡子回復(fù)到正確位置</DIV> |